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Mémoires magnétiques : un nouveau mode d’écriture


Une nouvelle technique d’écriture de l’information dans les mémoires magnétiques à accès direct (Magnetic Random Access Memory) vient d’être mise au point. Elle utilise la possibilité de retourner l’aimantation par le passage d’un courant dans le plan de la couche magnétique et non plus perpendiculairement à elle. ​

Publié le 9 décembre 2011

​Plusieurs avantages découlent de cette configuration où les chemins de lecture et d’écriture sont dissociés. Le courant ne traverse plus les couches minces pour l’écriture, ce qui réduit le risque de leur dégradation, et la résistivité de l’empilement peut être augmentée de manière à faciliter la lecture. La couche magnétique peut par ailleurs être plus « dure » et donc mieux retenir l’information, sans préjudice pour l’écriture.

Il devient enfin possible d’envisager des dispositifs à trois terminaux (de type transistor), ce qui représenterait un grand pas pour l’électronique de spin. Cette technique ouvre donc des perspectives extrêmement prometteuses en termes de performances des mémoires et de fonctionnalités nouvelles pour coupler mémoire et logique magnétiques. Ces travaux, réalisés par des chercheurs de Spintec, en collaboration avec l’Institut catalan de Nanotechnologies et l’Université Autonome de Barcelone, ont été publiés dans Nature en août 2011.

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