Vous êtes ici : Accueil > Actualités > Des mémoires résistives testées pour la première fois sur silicium

Actualité | Nouvelles technologies

Micro-Nano systèmes

Des mémoires résistives testées pour la première fois sur silicium


​Les performances de mémoires non volatiles résistives ont été mesurées sur silicium, grâce à un environnement de fabrication unique au monde. Cette démonstration a permis de valider l’intérêt de ces dispositifs pour des applications d’avenir. 

Publié le 31 janvier 2019

​Des mémoires résistives non volatiles (OxRAM) conçues et fabriquées au Leti, institut de CEA Tech, ont été testées pour la première fois en conditions réelles. Les tests ont été réalisés sur silicium, sur des wafers en technologie CMOS sur lesquels ont été ajoutés les dispositifs mémoire. Celles-ci ont été mises en situation sur deux applications en lien avec le Big Data et l'intelligence artificielle.

Grâce à un écosystème unique au monde permettant l'accès privilégié à la fabrication de circuits en mémoires non volatiles, ces mémoires OxRAM ont pour la première fois été utilisées en tant que mémoires non volatiles adressables par contenu (TCAM), lesquelles contrairement aux mémoires conventionnelles adressables par adresse, recherchent en parallèle un contenu dans un vaste ensemble de données. Les chercheurs du Leti ont ainsi mis en évidence expérimentalement l'existence d'un compromis entre le temps de lecture et le taux de recherche correct.

Deuxième application testée : les réseaux de neurones impulsionnels munis de synapses résistives, qui sont utilisés dans le domaine de l'intelligence artificielle. Les premiers résultats des analyses en mesure sont encourageants, et des études plus poussées sont en cours afin de démontrer la fonctionnalité complète du circuit, ainsi que ses performances. L'ensemble de ces résultats fournira aux concepteurs de circuits les informations nécessaires aux spécifications et aux dimensionnements des prochains circuits.

Haut de page

Haut de page