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Mémoires flash : la relève est assurée !


​Mille fois plus rapides que les mémoires flash, mais également denses et non volatiles, les ReRAM (Resistive Random Access Memory) gagnent du terrain en micro-électronique. Les chercheurs du Leti, institut de CEA Tech, ont mis au point un outil pour faciliter la conception de ces nouveaux composants.

Publié le 15 novembre 2016

Combinant les avantages de la non volatilité et de la densité d’intégration avec la vitesse des DRAM (Dynamic RAM), les ReRAM sont pressenties pour remplacer les mémoires flash dans un avenir proche.

Dans le cadre d’un partenariat avec un gros industriel, le Leti a été chargé de déterminer les spécifications électriques que doit remplir le dispositif ReRAM (tension et courant de programmation, temps d’écriture, etc.) pour réaliser un composant d’une capacité de stockage de 128 Gb, accessibles à des débits de 4GB/s. Pour cela, les chercheurs ont mis au point un outil mettant en équations les principales contraintes de conception d’une telle mémoire dans le logiciel Excel. Baptisé CrossPloration, cet outil permet d’estimer la faisabilité de la conception, mais aussi de calculer la surface et la consommation de la mémoire en fonction des caractéristiques électriques du dispositif et des spécifications système du composant. Il peut également calculer le meilleur compromis pour obtenir des performances accrues et une consommation réduite.

Cet outil est une aide précieuse pour la conception de mémoires non-volatiles de grande capacité, lesquelles devraient bientôt offrir les performances d’une DRAM pour un prix approchant celui des mémoires flash.


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